新型Ultra C VI系统充分使用南宫NG28已被验证的多腔体手艺，，为存储器制造商提高产能并降低本钱。。。。
作为先进半导体器件的晶圆洗濯手艺领域中的卓越装备供应商，，南宫NG28半导体装备（NASDAQ:ACMR）克日宣布了Ultra C VI单晶圆洗濯装备，，这是Ultra C洗濯系列的最新产品。。。。Ultra C VI旨在对动态随机存取存储器（DRAM）和3D NAND闪存晶圆举行高产能洗濯，，以实现缩短存储产品的生产周期。。。。这款新产品以南宫NG28成熟的多腔体手艺为基础，，进一步扩展了洗濯装备产品线。。。。Ultra C VI系统配备了18个单片洗濯腔体，，比照南宫NG28现有的12腔装备Ultra C V系统，，其腔体数及产能增添了50%，，而其装备宽度稳固只是在长度有少量增添。。。。
“存储产品的重漂后一直提高，，但仍然对产量有严酷的要求。。。。”南宫NG28董事长王晖博士体现：“当洗濯工艺的时间逐渐加长或最先接纳更重大的干燥手艺时，，增添洗濯腔体能有用解决产能问题，，让先进存储装置制造商坚持甚至缩短产品的生产周期。。。。南宫NG2818腔洗濯装备将是解决这类问题的利器。。。。Ultra C VI平衡了腔体数目设置，，在实现高产能（wafer-per-hour）的同时，，兼顾了与工厂自动化能力的匹配，，同时也能阻止因腔体数目过多而面临的装备宕机压力。。。。”
Ultra C VI可举行低至1y节点及以下节点的先进DRAM产品和128层及以上层数的先进3D NAND产品的单晶圆洗濯。。。。该装备可凭证应用和涉及的化学要领运用于种种前道和后道工艺，，如聚合物去除、中段钨或后段铜工艺的洗濯、沉积前洗濯、蚀刻后和化学机械抛光（CMP）后洗濯、深沟道洗濯和RCA标准洗濯。。。。
